MESFET并不是MOSFET的筆誤，而是另一種功率JFET，它是“Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor”的縮寫，大致含義是“金屬—半導(dǎo)體場效應(yīng)管”。
MOSFET采用橫向雙擴(kuò)散結(jié)構(gòu)(IDMOS)來兼顧工作頻率與功率的要求，MESFET則采用肖特基勢壘柵極(Schottky Gate FET)結(jié)構(gòu)（圖1.24）。就PN結(jié)的特性而言，與肖特基二極管并無本質(zhì)上的區(qū)別。眾所周知，肖特基勢壘的基本結(jié)構(gòu)就是“Metal-Semiconductor”（金屬-半導(dǎo)體），MESFET也是由此得名。雖然都是橫向溝道，但是MESFET的溝道更短。
MESFET的肖特基勢壘柵極通常采用的材料為GaAs(Gallium Arsenide，砷化鎵)，新一代半導(dǎo)體材料InP（Indium Phosphide，磷化銦）和SiC( SiliconCarbide,碳化硅)也開始有應(yīng)用。
從工作模式來看，MESFET也有增強(qiáng)型與耗盡型之分，這一點(diǎn)與MOSFET是相近的，其實(shí)，它的肖特基勢壘柵極與MOS柵極也是有相似之處的。
MESFET主要作為功率微波器件用在“固態(tài)”發(fā)射機(jī)上，工作頻率可達(dá)45GHz以上，比JFET和MOSFET都要高。