逆阻型IGBT特性與工作原理普通的IGBT只能做單向并且是正向的開(kāi)關(guān)，如果作為反向開(kāi)關(guān)，就需要在集電極或者發(fā)射極回路串 聯(lián)一個(gè)阻斷二極管，如圖l所示。因?yàn)椴荒苣褪芊聪螂妷?，?即使是沒(méi)有集成體二極管的IGBT作反向開(kāi)關(guān)，也齋蟄串耿一個(gè)體二極管。
圖1 普通IGBT只能作單向開(kāi)關(guān)
普通IGBT如果要作雙向交流開(kāi)關(guān)，就需要兩套同樣的單向開(kāi)關(guān) 電路，分別擔(dān)負(fù)信號(hào)正、負(fù)半周的開(kāi)關(guān)，如圖2所示。
圖2 普通IGBT作交流開(kāi)關(guān)的方法
RB-IGBT(Reverse Blocking IGBT，逆阻IGBT)相當(dāng)于在集電極回路中集成了一個(gè)反向二極管（與續(xù)流二極管的方向相反），因此適合于作交流開(kāi)關(guān)。這個(gè)二極管并不是串 聯(lián)了一個(gè)實(shí)體的反向二極管芯片，而是將集電極側(cè)P十 層的離子注入濃度適當(dāng)減少，注入深度適當(dāng)加深，形成一個(gè)等效的反向二極管，使IGBT具有反向電壓阻斷能力。與集成一個(gè)獨(dú)立的實(shí)體二極管芯片相比，這樣做可以降低成本；與在外部串 聯(lián)一個(gè)阻斷二極管相比，減少了占板面積。
RB-IGBT在飽和壓降方面的優(yōu)勢(shì)并不大，成本和RC-IGBT一樣，也是性?xún)r(jià)比高的產(chǎn)品。這也許是RB-IGBT上市時(shí)間這么長(zhǎng)，跟進(jìn)的制造商卻并不多的原因。或許正是這一原因，RC-IGBT目前沒(méi)有統(tǒng)一的電路符號(hào)，圖1.23是兩種可用的電路符號(hào)，本文也以此為例。
圖3 推薦的兩種RB——IGBT 電路符號(hào)
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