我們知道MOS管是電壓控制的，從理論上MOS管電流為零。但是半導體不是理想器件，不可避免的會存在一些寄生參數(shù)。 閱讀芯片手冊可以知道，柵極驅(qū)動電流公式如下圖。
Fsw為開關(guān)頻率，Qg為mos管柵極充滿所需電荷 。 MOS管以BSC109N10NS3為例 ，查看該mos管芯片手冊，可以知道
Qg為50nC左右。通過上面公式計算Igate = 25mA。 但是問題來了，如下圖
INTVcc的電流驅(qū)動能力為23mA，也就是說開關(guān)頻率大概超過500K后，就無法正常驅(qū)動這個MOS管了，但是我把開關(guān)頻率改到900K后，電路從表面上運行正常。為了一探究竟，我決定測試一下MOS管的驅(qū)動波形。
波形大致看起來問題不大，放大波形，可以看到柵極電壓上升過程中有振鈴，這個其實是MOS管的彌勒效應(yīng)引起的震蕩。這個震蕩無疑加大了MOS管的開關(guān)損耗。之前是在談?wù)揗OS管驅(qū)動電流問題，這個震蕩問題其實從側(cè)面也反應(yīng)了這個芯片在Qg = 50nC，開關(guān)頻率 = 900KHz情況下，驅(qū)動能力不足的問題。
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