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  • MOS管反向二極管作用詳細分析
    • 發(fā)布時間:2022-07-05 19:38:26
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    MOS管反向二極管作用詳細分析
    MOS管反向二極管作用
    MOS管電路圖中的反向二極管什么作用?
    MOS管反向二極管
    如圖所示,P-Base與Source電極相連。反向電流可以從Source流入P-Base,通過PN結(jié)(P-Base/N-Dift)流入Drain。
    這個PN結(jié)就是MOSFET中的Body diode。其作用是導通電感負載傳導來的反向電流( H-bridge,half bridge or many other bridges)。
    值得注意的是,當P-Base與Source電極相連可以阻止parasitic NPN transistor的形成(N+/P-Base/N-Drift),使MOSFET工作在可控的狀態(tài)。
    Body diode的作用在很多情況下相當于Freewheeling diode(反向二極管),具體的應用限制則根據(jù)MOSFET的結(jié)構(gòu)設計而有所不同 (maximum current rating, maximum blocking voltage, reverse recovery behavior)。
    下圖是二極管開關(guān)特性
    MOS管反向二極管
    p-channel MOSFET:
    MOS管反向二極管
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