分析MOS管的開啟電壓對管子導通狀態(tài)的影響。
準備工具： 電路仿真軟件LTspice,NMOS模型電路，NMOS數據手冊等
進行試驗：步驟1、先搭建一個簡單的NMOS開關仿真電路，如圖：
MOS的開啟電壓，如下圖，
從圖中可以看到MOS管的開啟電壓在1v~2.2v之間，所以我們將VGS驅動電壓設置在2.5v,然后改變電阻R1的阻值，觀察VDS的電壓變化。
步驟3、設置好參數后，我們開始仿真，仿真結果如圖下；
從圖中我們可以看到電阻R1的變化帶來VDS的壓降變化，0.4v到10v,也就是從接近完全導通到完全截止。
步驟4、接下來我們將驅動電壓VGS設置為2.8v,在來仿真一下，結果如圖下；
這次我們可以看到只有兩根線了，并且VDS的壓降最低為0v,也就是說管子在VGS=2.8V的時候，漏極電阻調到合適的值，管子是可以完全導通的。
步驟5、我們把VGS的值改為3V，再來仿真看結果
這次我們可以看到管子VDS的壓降也就完全到mv級別了。
從上面這幾個仿真可以發(fā)現，1、NMOS的漏級電壓vds由驅動電壓VGS和漏極電阻R1決定；2、VGS越大越有利于管子的導通；3、MOS管的驅動電壓要大于規(guī)格書的最大開啟電壓（最小1v)，才能讓管子完全導通。
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