SiC MOSFET由于開關(guān)速度快，在大電流大電壓工作條件下，開關(guān)瞬態(tài)會產(chǎn)生非常高的電流變化率di/dt和電壓變化率dv/dt，因此其對功率回路的寄生參數(shù)非常敏感，容易產(chǎn)生嚴重的高頻振蕩。研究發(fā)現(xiàn)，SiC MOSFET的振蕩分別發(fā)生在開通瞬態(tài)的電流上升階段和電壓下降階段、以及關(guān)斷瞬態(tài)的電壓上升階段和電流下降階段這四處。
從上述分析可知，無論是電流還是電壓，開關(guān)瞬態(tài)的高頻振蕩都與寄生參數(shù)密切相關(guān)，這就需要在實際應(yīng)用場景中正確選擇驅(qū)動柵極電阻和外加電容來減小電壓電流變化率，或者添加適當?shù)腞C阻尼電路等，減小高頻振蕩的影響。
〈烜芯微/XXW〉專業(yè)制造二極管，三極管，MOS管，橋堆等，20年，工廠直銷省20%，上萬家電路電器生產(chǎn)企業(yè)選用，專業(yè)的工程師幫您穩(wěn)定好每一批產(chǎn)品，如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以直接聯(lián)系下方的聯(lián)系號碼或加QQ/微信，由我們的銷售經(jīng)理給您精準的報價以及產(chǎn)品介紹
聯(lián)系號碼：18923864027（同微信）
QQ：709211280