NMOS開關(guān)電路一
NMOS低側(cè)電源開關(guān)
使用NMOS，最簡單的開關(guān)電路，低側(cè)驅(qū)動。
CONTROL為控制信號，電平一般為3~12V。負載一端接電源正極，另一端接NMOS的D（漏極)。
CONTROL電平為高時，Vgs＞NMOS的Vgs導通閥值，MOS導通，負載工作。
CONTROL電平為低時，Vgs=0，MOS關(guān)斷，負載停機。
NMOS開關(guān)電路二
典型的NMOS開關(guān)驅(qū)動電路
R25/100R 的作用：
防止振蕩
減少柵極充電的峰值電壓
保護NMOS管的D-S極不被擊穿
防止震蕩，GPIO口輸出端可能有些雜散的電感，在電壓突變的情況下，可能會產(chǎn)生LC振蕩，當我們加入R25之后，會提高阻尼減少振蕩。
減少柵極充電的峰值電壓，當柵極的電壓拉高，首先對柵極的寄生電容進行充電，I=Q/t。充電的峰值電流可能大于GPIO的輸出能力，為了保護IC,添加R25之后，可能有效的增長充電的時間，進而減小充電時候的電流。
從導通到截止狀態(tài)，VDS電壓迅速增加，如果dVDS/dt過大，可能會燒壞器件，R17的存在可以讓柵極電容緩慢放電，從而保護mos管。
R26 10K的作用：下拉型抗干擾電阻，GPIO輸出狀態(tài)下，在Nmos端，可以看出mos端處于一個高阻態(tài)或者懸浮的一個狀態(tài)，為了避免意外打開mos管，加上了個10k下拉。
NMOS開關(guān)電路三
這是一個常用的NMOS低側(cè)開關(guān)，平時G極被電阻拉至GND電平，處于關(guān)閉狀態(tài)。當驅(qū)動電壓高于GND時，MOS打開。
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